製品
NEMST-RIE2018 series
反応性イオンエッチング装置（RIE）
- 特許高密度誘導結合型（ICP）プラズマ源：密度 約10¹¹～10¹³ /cm³
- 1サイクルあたり片面処理
- 特殊ガス分散プレート設計により、均一なプラズマ生成を実現
- ワーク保持機構にバイアス印加（DCパルスまたはRF）対応
- 電極と製品間の距離を調整可能
- 大面積での反応性イオンエッチング（RIE）に対応
- プロセス終了検知機能（エンドポイント検出）をオプションで搭載可能
- 異方性かつ高アスペクト比のエッチング目標を達成可能。
- 顧客ニーズに応じ、6インチ、8インチ、12インチウエハに対応。最大660 mm x 660 mmのパネルサイズまで処理可能。
- ラジカルまたはイオンによる高速エッチングを実現。
- 極めて高いエッチング均一性（93%以上を達成）。低圧力下での高密度プラズマ生成が可能。
- プラズマ密度とイオンエネルギー（バイアス）の独立制御が可能。
- 高分子材料： ポリイミド (PI)、パリレン、FR4、BT、テフロン (PTFE) 等。
- シリコン系材料： 単結晶シリコン (Si)、ポリシリコン (Poly-Si)、アモルファスシリコン (a-Si)。
- パッシベーション・保護膜： 窒化シリコン (Si3N4)、酸窒化シリコン (SiON)。
- 誘電体材料： 二酸化シリコン (SiO2)、High-k および Low-k 材料。
- 化合物半導体： GaN、SiC、GaAs、InP 等、次世代半導体材料。
- 金属および合金： アルミニウム (Al)、チタン (Ti)、関連合金、バリアメタル。
- 特殊材料： サファイア、ダイヤモンド、ITO導電膜、PZT圧電材料。
- 先端パッケージング： CoWoS、2.5D/3D IC、FOWLP、FOPLP。
- ICパッケージ基板： mSAP（改良型セミアディティブ法）、ABF/BT基板プロセス。
- ディスプレイ用途： Micro-LED構造エッチング、表面活性化および洗浄。
- 周辺プロセス： ウエハ再生 (Wafer Reclaim)、各種フォトレジスト除去 (Ashing)。
- 表面処理： 表面活性化、表面粗さ（ラフネス）の改善、親水性・疎水性改質。